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Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1
| Artikelnummer: | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC0921NDIATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TISON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Leistung - max 1W Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A, 31A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Grundproduktnummer BSC0921 BSC0921NDIATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSC0921NDIATMA1 PDF - EN.pdf -
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